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1er exploit: GB Scattering Effect
En 2003 déjà nous étions les premiers à proposer le modèle du 3ème cas appelé "The GB Scattering Effect". Personne n'en a
parlé avant nous. Certe, il est sûre que du travail reste encore à faire pour valider complètement ces résultats.
Et voire même beaucoup de travail.
Nous espérons arriver à le finaliser très prochainement.
Si cela serait possible un jour, alors la voie serait ouverte pour un éventuel prix d'excellence.
Peut être à l'age du Méritât.
Essayez juste de lire le passage suivant publié dans l'une de nos articles pour voir de quoi il s'agit:
"It is well established that in penetrating the target, the energetic ions lose 
energy due to both the elastic collisions with atomic nuclei and the inelastic interaction with electrons.
1- In ion–nuclei collisions (nuclear stopping), energy is transmitted to the target atoms; the ions lose
velocity and change direction [1].
2- The interaction between ions and electrons (electronic stopping), should cause 
2ème exploit: DOR Effect
3ème exploit: B-LPCVD Second-Oxidation
En 1998 enfin nous étions aussi les premiers à mettre en place les techniques relatives au B-LPCVD second-Oxidation[4].
Nos résultats de cette étude, également effectuée en salle blanche du LAAS (CNRS) de Toulouse (France)
ont permis des avancées nettes dans les processus de fabrication des circuits intégrés.
On doit rappeler ici aussi que personne n'en a fait de même avant nous.
A base ce travail et en co-encadrement, une troisième thèse de Doctorat d'Etat dans l'Institut d'Electronique
de l'Université de Sétif a été soutenue en 2004
Thèse soutenue par: Mr Ait-Kaki Abdelaziz.
Donc, juste trois thèses de Doctorat d'Etat mais le travail est doté de beaucoup d'originalité, d'honnêteté et de grande qualité.
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