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Originalité et challanging:

Par: Pr. M Boukezzata

1er exploit: GB Scattering Effect


En 2003 déjà nous étions les premiers à proposer le modèle du 3ème cas appelé "The GB Scattering Effect". 
Personne n'en a
parlé avant nous. Certe, il est sûre que du travail reste encore à faire pour valider complètement ces résultats.
Et voire même beaucoup de travail.
Nous espérons arriver à le finaliser très prochainement. 
Si cela serait possible un jour, alors la voie serait ouverte pour un éventuel prix d'excellence.
Peut être à l'age du Méritât.
Essayez juste de lire le passage suivant publié dans l'une de nos articles pour voir de quoi il s'agit:
"It is well established that in penetrating the target, the energetic ions lose 
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energy due to both the elastic collisions with atomic nuclei and the inelastic interaction with electrons.
1- In ion–nuclei collisions (nuclear stopping), energy is transmitted to the target atoms; the ions lose
velocity and change direction [1]
2- The interaction between ions and electrons (electronic stopping), should cause 
Campus de Zerzara
an energy loss of the ions without changes in the direction [1].
These last cited concepts are largely treated by many authors but it remains possible to explore others.
3- Especially, in the case when the direction of incident particles should change without energy loss [2]."

C'est ici que réside l'origilalité de notre travail et sur la base de ce travail, une thèse de Doctorat a été
soutenue en 2009.

 "Simulation à l’aide d’un modèle dit
de ''Monté Carlo'' des profils de bore implantés requis pour la réalisation des jonctions courtes utilisées
dans les processus de haute densité d’intégration (PHDI)

Thèse soutenue par:Mlle Merabet Souad.
http://bu.umc.edu.dz/theses/electronique/MER5461.pdf

  
2ème exploit: DOR Effect  

En 1996 d'abord nous étions aussi les premiers à découvrir le taux différentiel d'oxydation dans les
couches minces du polysilicium (B-LPCVD).
Ce phénomène s'appelle effet DOR (Differential Oxidation Rate Effect)[3].  
Cela, représente le fruit de trois (03) ans d'intenses travaux menés en salle blanche du LAAS appartenant
au CNRS de Toulouse (France). De jours comme de nuits, nous avions réalisé des expérimentations
en profondeur et sans relâche pour arriver en fin de compte à mettre en évidence ce phénomène important.
Egalement, personne n'en a parlé avant nous.


Essayez aussi de lire la publication suivante publiée dans l'une des meilleure revue
de la spécialité (Thin Solid Films Journal) en utililsant le lien suivant:
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0040609095081720
Vous pouvez voir de quoi il s'agit.

Sur la base de ce travail, la première thèse de Doctorat d'Etat dans l'Institut d'Electronique de
l'Université de Constantine a été soutenue en 1996. 

"Etude et modélisation de l'effet des traitements thermiques d'oxydation sèche des films minces de
silicium polycristallin préparé par la technique LPCVD et fortement dopé in-situ au boore". 


Thèse soutenue par: Mr Boubkeur Birouk.

3ème exploit: B-LPCVD Second-Oxidation

En 1998 enfin nous étions aussi les premiers à mettre en place les techniques relatives au B-LPCVD second-Oxidation[4].
Nos résultats de cette étude, également effectuée en salle blanche du LAAS (CNRS) de Toulouse (France)
ont permis des avancées nettes dans les processus de fabrication des circuits intégrés.
On doit rappeler ici aussi que personne n'en a fait de même avant nous.
Nous vous invitons à jeter un coup d'oeil sur la publication suivante publiée aussi dans
la revue (Thin Solid Films Journal) en utililsant le lien suivant:
Second oxidation properties of thin polysilicon films grown by LPCVD and heavily in-situ boron-doped

Et sur la base de ce travail et en co-encadrement avec le Pr F. Djahli, une troisième thèse de Doctorat d'Etat dans l'Institut d'Electronique de l'Université de Sétif a été soutenue en 2004.

Thèse soutenue par: Mr Ait-Kaki Abdelaziz.


Donc, juste trois thèses de Doctorat d'Etat mais le travail est doté de beaucoup d'originalité, d'honnêteté et de grande qualité. 

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Pour plus d'information, nous contacter 
                                                                                                      
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